IPD053N06N
安装风格：SMD/SMT 封装 / 箱体 ：TO-252-3 晶体管极性：N-Channel
Vds-漏源极击穿电压：60 V Id-连续漏极电流：45 A Rds On-漏源导通电阻：4.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压：2.1 V Qg-栅极电荷：32 nC
最小工作温度：- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:83 W 通道模式:Enhancement
MIC5219YM5-TR
安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-5 输出电压: Adjustable 输出电流: 500 mA
输出端数量: 1 Output 极性: Positive 静态电流: 100 nA 输入电压（最小值）: 2.5 V
输入电压（最大值）: 12 V PSRR/纹波抑制—典型值: 75 dB 输出类型: Adjustable
最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C 回动电压: 350 mV
制造商: Microchip
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