您好,欢迎来到深圳市芯泽凯科技有限公司

RE1C001UNTCL OPA170AIDR CSD87334Q3D

发布时间2022-11-12 19:40:00关键词:场效应管(MOSFET) 运算放大器 场效应管(MOSFET)
摘要

原装进口现货,价格优势

RE1C001UNTCL

RE1C001UNTCL

技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:100 mA Rds On-漏源导通电阻:3.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:150 mW 通道模式:Enhancement 封装:Reel

OPA170AIDR

系列:OPA170 通道数量:1 Channel GBP-增益带宽产品:1.2 MHz SR - 转换速率:400 mV/us CMRR - 共模抑制比:120 dB 每个通道的输出电流:17 mA Ib - 输入偏流:8 pA Vos - 输入偏置电压:250 uV en - 输入电压噪声密度:19 nV/sqrt Hz 电源电压-最大:36 V 电源电压-最小:2.7 V 工作电源电流:110 uA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 关闭:No Shutdown 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Reel, Cut Tape, MouseReel

CSD87334Q3D

技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VSON-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:20 A Rds On-漏源导通电阻:8.3 mOhms, 8.3 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压:750 mV Qg-栅极电荷:8.3 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:6 W 通道模式:Enhancement 商标名:NexFET 封装:Reel

深圳市芯泽凯科技有限公司

  • 联系人:

    朱先生

  • QQ:

  • 二维码:
  • 微信:

    13410995798

  • 手机:

    13410995798

  • 电话:

    13410995798

  • 地址:

    深圳市龙华区民治街道白石龙社区新龙大厦1307